特色
- 双N-MOS FET高压侧开关(典型值45mΩ)。
- 内置软启动电路。
- 内置过电流保护电路(OCP)。
- 内置热关机电路(TSD)。
- 内置N沟道MOSFET放电输出电容
- 反向电流保护。
- 无输入序列。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.38775 | 7.38775 |
10+ | 6.59828 | 65.98282 |
25+ | 6.26366 | 156.59150 |
100+ | 5.14535 | 514.53560 |
250+ | 4.81015 | 1202.53875 |
500+ | 4.25071 | 2125.35650 |
1000+ | 3.35585 | 3355.85300 |
3000+ | 3.16587 | 9497.61600 |
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