特色
- 低导通电阻（典型值100mΩ）内置N沟道MOSFET
- 输出放电功能
- 过电流检测
- 热关机
- 漏极开路故障标志输出
- 欠电压锁定
- 软启动电路
- 输入电压范围：2.7V至5.5V
- 控制输入逻辑高有效（BD2232G），低有效（BD223 3G）
BD2265G-MGTR
- 描述:开关种类: USB切换器 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 5-SSOP
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.74990 | 7.74990 |
| 10+ | 6.90972 | 69.09727 |
| 25+ | 6.55627 | 163.90682 |
| 100+ | 5.38582 | 538.58200 |
| 250+ | 5.03439 | 1258.59875 |
| 500+ | 4.44916 | 2224.58450 |
| 1000+ | 3.51244 | 3512.44400 |
| 3000+ | 3.31362 | 9940.88100 |
- 库存: 2829
- 单价: ¥7.74990
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输出数量 one
- 输入比率 / 输出比率 1:1
- 连接口 On/Off
- 电源电压 (Vcc/Vdd) 不需要
- 特点 -
- 输出配置 高端
- 输出类别 n通道
- 输入类别 非反相
- 开关种类 USB切换器
- 负载电压 2.7伏~5.5伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 SC-74A，SOT-753
- 故障保护 限流（固定）、超温、反向电流、UVLO
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
- 典型导通电阻 120欧姆
- 最大输出电流 900毫安
- 供应商设备包装 5-SSOP
BD2265G-MGTR 产品详情
BD2232G-GTR和BD2233G是低导通电阻N沟道MOSFET高压侧电源开关，针对通用串行总线（USB）应用进行了优化。BD2232G-GTR和BD2233G具有过流检测、热关机、欠压锁定和软启动功能。
BD2265G-MGTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BD21092 | 振晖.温彻斯特 (Winchester) | MODULAR CRIMPER DEC MMJ | ¥4,282.65434 |
 | BD284 | 克莱因工具 (Klein) | SCREWDRIVER SLOTTED 1/4" 8.5" | ¥93.43341 |
 | BD286 | 克莱因工具 (Klein) | SCREWDRIVER SLOTTED 1/4" 10.5" | ¥214.019 |
 | BD2EE | 哈蒙德 (Hammond) | PWR XFMR LAMINATED 20VA CHAS MT | ¥126.09889 |
 | BD2FF | 哈蒙德 (Hammond) | PWR XFMR LAMINATED 20VA CHAS MT | ¥138.77396 |
 | BD2F | 哈蒙德 (Hammond) | PWR XFMR LAMINATED 20VA CHAS MT | ¥138.77396 |
 | BD2E | 哈蒙德 (Hammond) | PWR XFMR LAMINATED 20VA CHAS MT | ¥138.77396 |
 | BD2G | 哈蒙德 (Hammond) | PWR XFMR LAMINATED 20VA CHAS MT | ¥138.77396 |
 | BD241CG | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 40瓦 特征频率: 3MHz 供应商设备包装: TO-220 | ¥6.37375 |
| BD244BTU | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 80 | ¥2.41044 |
BD2265G-MGTR所属分类：配电开关/负载驱动器，BD2265G-MGTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BD2265G-MGTR价格参考￥7.749903，你可以下载 BD2265G-MGTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BD2265G-MGTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
