VNN1NV04P-E、VNS1NV04PTR-E是采用STMicroelectronics VIPower M0-3技术设计的单片器件,用于替换直流高达50kHz的标准功率MOSFET。
内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
特色
- ESD保护
- 通过输入引脚的诊断反馈
- 与标准功率MOSFET兼容
- 直线电流限制
- 短路保护
- 热关机
- 低电流限制输出引脚
- 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
- 集成夹具
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 174.43581 | 174.43581 |
10+ | 170.32662 | 1703.26622 |
30+ | 167.59416 | 5027.82498 |
100+ | 164.86170 | 16486.17090 |
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VNN1NV04P-E、VNS1NV04PTR-E是采用STMicroelectronics VIPower M0-3技术设计的单片器件,用于替换直流高达50kHz的标准功率MOSFET。
内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
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