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FC6946010R是MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SOT-563、SOT-666中使用的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为150°C（TJ），以及表面安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为SSMini6-F3-B，该设备为双配置，该设备具有2 N通道（双）FET型，最大功率为125mW，晶体管类型为2 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为12pF@3V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为100mA，Rds On Max Id Vgs为12 Ohm@10mA，4V，Vgs th Max Id为1.5V@1μA，Pd功耗为125 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为6欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为100nS，并且典型接通延迟时间为100mS，并且正向跨导最小值为60mS。
FC6943010R是MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6，包括1.5V@1μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如100 nS，典型的关闭延迟时间设计用于100 nS，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用SSMini6-F3-B供应商器件封装，该器件具有8欧姆@10mA、4V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为3欧姆，最大功率为125mW，Pd功耗为125 mW，封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为12pF@3V，Id连续漏电流为100 mA，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为100mA，配置为双。
FC68125，电路图由CLIFF制造。是IC芯片的一部分。
FC6944.1AE，带有NA/制造的EDA/CAD模型。FC6944.1AE采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
