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VNS3NV04DTR-E是MOSFET POWER AUTOPROTECT 8-SOIC,包括OMNIFET II?,VIPower?系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,数据表注释中显示了用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)的封装盒,该封装盒具有非反相等输入型功能,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),以及N通道输出类型,该设备也可用作开/关接口。此外,供应商设备包为8-SO,该设备在1899/12/30 1:01:00比率输入:输出中提供,该设备有2个输出,不需要电压源Vcc Vdd,故障保护为电流限制(固定)、过温、过电压和输出配置为低侧,Rds On Typ为120 mOhm(最大),电压负载为36V(最大),电流输出最大值为3.5A,开关类型为通用型。
VNS3NV04-E是MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A 8-SO,包括不需要的电压源Vcc Vdd,它们设计用于36V(最大)电压负载,开关类型如数据表注释所示,用于通用用途,提供供应商设备包功能,如8-SO,系列设计用于OMNIFET II?,VIPower?,除了120 mOhm(最大)Rds On Typ,该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入:输出。此外,包装是管,该器件采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装盒,该器件具有N通道输出型,输出配置为低侧,工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),输出数量为1,接口为开/关,输入类型为非反相,故障保护为限流(固定)、过温、过电压和电流输出最大值为3.5A。
VNS3NV04P-E是ST制造的栅极驱动器OMNIFET II低侧120欧姆3.5A 40V。是PMIC-栅极驱动器的一部分,并支持栅极驱动器OMNIFET II低压侧120欧姆3.5 A 40V。