NX3P1108是一种高侧负载开关,其特点是低导通电阻P沟道MOSFET,支持超过1.5 a的连续电流。它有一个集成的输出放电电阻器,在禁用时对输出电容进行放电。设计用于0.9 V至3.6 V的工作电压,用于功率域隔离应用,以减少功耗并延长电池寿命。启用逻辑包括集成逻辑电平转换,使设备与低电压处理器和控制器兼容。NX3P1108由于低接地电流和超低关断电流,非常适合便携式电池操作应用。
特色
- 宽电源电压范围从0.9 V到3.6 V
- 极低的导通电阻:
- 电源电压为3.3 V时为34 mΩ
- 高噪声抗扰度
- 低关断状态泄漏电流(最大2.0μA)
- 电源电压为3.6V时的1.2V控制逻辑
- 高电流处理能力(1.5 A连续电流)
- 内部输出放电电阻器
- 开启转换速率限制
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A级超过4000 V
- CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
- 规定范围为-40°C至+85°C
- 手机
- 数码相机和音频设备
- 便携式和电池供电设备