DRV411IRGPT设计用于调节InSb霍尔元件，以用于闭环电流传感器模块。DRV411IRGPT为霍尔元件提供了精确的激励电路，有效地消除了霍尔元件的偏移和偏移漂移。该设备还提供用于驱动传感器补偿线圈的250mA H桥以及用于生成输出信号的精密差分放大器。与传统的单端驱动方法相比，H桥的250mA驱动能力大致使电流测量范围加倍。
霍尔传感器前端电路和差分放大器采用专有的偏移抵消技术。这些技术与高精度电压基准一起显著提高了整个电流传感器模块的精度。输出电压可通过引脚选择，以支持与5V电源一起使用的2.5V输出，以及用于3.3V传感器的1.65V输出。
为了达到最佳散热效果，DRV411IRGPT可采用热增强型4毫米×4毫米QFN和TSSOP-20（带有PowerPAD封装）。DRV411IRGPT规定在-40°C至+125°C的全扩展工业温度范围内运行。
特色
- 针对对称霍尔元件（例如，AKM HW-322、HW-302或类似产品）进行了优化
- 旋转电流霍尔传感器激励
- 消除霍尔传感器偏移和漂移
- 消除1/f噪声
- 扩展电流测量范围
- H桥驱动能力：250 mA
- 精密差分放大器：
- 偏移和漂移：100μV（最大），2μV/°C（最大）
- 系统带宽：200 kHz
- 精度参考：
- 精度：0.2%（最大值）
- 漂移：50 ppm/°C（最大值）
- 引脚可选择2.5 V、1.65 V和比率模式
- 超限和错误标志
- 电源：2.7 V至5.5 V
- 封装：4-mm×4-mm QFN和TSSOP-20 PowerPAD？
- 温度范围：-40°C至+125°C
DRV411设计用于调节InSb霍尔元件，以用于闭环电流传感器模块。DRV411为霍尔元件提供了精确的激励电路，有效地消除了霍尔元件的偏移和偏移漂移。该设备还提供用于驱动传感器补偿线圈的250mA H桥以及用于生成输出信号的精密差分放大器。与传统的单端驱动方法相比，H桥的250mA驱动能力大致使电流测量范围加倍。
霍尔传感器前端电路和差分放大器采用专有的偏移抵消技术。这些技术与高精度电压基准一起显著提高了整个电流传感器模块的精度。输出电压可通过引脚选择，以支持与5V电源一起使用的2.5V输出，以及用于3.3V传感器的1.65V输出。
为了达到最佳散热效果，DRV411可采用热增强型4-mm×4-mm QFN和TSSOP-20（带有PowerPAD封装）。DRV411规定在-40°C至+125°C的全扩展工业温度范围内运行。
