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SI2392ADS-T1-GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供ThunderFET TrenchFET等商标功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为196pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为126 mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.4nC@10V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，漏极-源极电阻Rds为126毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
SI2399DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，封装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
SI2399CDS-T1-GE3，带有VIS制造的电路图。SI2399CDS-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
