ISL6146AFRZ

低压ORing FET控制器ISL6146AFRZ代表一系列ORing MOSFET控制器，能够将1V至18V的电压进行ORing。ISL6146AFRZ与尺寸合适的N沟道功率MOSFET一起，在大电流应用中替换功率ORing二极管时提高了功率分配效率。它为具有完全集成电荷泵的MOSFET提供栅极驱动电压。

ISL6146AFRZ代表一系列ORing MOSFET控制器，能够将电压从到18V进行ORing。ISL6146AFRZ与尺寸合适的N沟道功率MOSFET一起，在大电流应用中替换功率ORing二极管时提高了功率分配效率。它为具有完全集成电荷泵的MOSFET提供栅极驱动电压。ISL6146AFRZ允许用户使用外部电阻器调整VOUT-VIN跳闸点，从而调整对系统电源噪声的控制灵敏度。漏极开路故障引脚将指示是否发生了条件或FET故障。ISL6146A和ISL6146B针对极低电压操作进行了优化，低至1V，附加独立偏置3V或更高。ISL6146C提供低至3V的电压兼容操作模式，具有可编程的欠压锁定和过压保护阈值水平。

表1。系列零件之间的关键差异零件编号ISL6146B ISL6146C关键差异独立的BIAS和VIN（带激活高启用）独立的BIAS和VIN（带有激活低启用VIN）OVP/UVLO输入

特征

ISL6146A、ISL6146B可编程电压兼容操作，ISL6146C VIN热插拔瞬态保护额定值为+24V高速比较器可将电压降到1V和20V�s关闭以响应采购供应短缺。最快的反向电流故障隔离，6A关断电流非常平滑的切换过渡内部电荷泵，用于驱动N沟道MOSFET用户可编程VIN-VOUT Vth，用于噪声抗扰度开路漏极故障输出，具有延迟-任意两个ORing FET端子之间短路-GATE电压和过度FET VDS-电源良好指示器（ISL6146C）MSOP和DFN封装选项

应用

N+1工业和电信配电系统不间断电源低压处理器和存储器存储及数据通信系统

Q1+VIN栅极电压偏置调整ISL6146B FLT GND Q2+VIN栅极电流偏置调整isl 6146b FLT GND EN
+C门快速关闭，约200ns下降时间约70ns，通过57nF门输出从12.6V下降至约6A

警告：这些设备对静电放电敏感；遵循适当的IC处理程序。1-888-468-3774 | Intersil Americas Inc.2011版权所有。Intersil（和设计）是Intersil Corporation或其子公司拥有的商标。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

偏置Q泵VDS正向调节器门故障诊断1。VIN-VOUT 570mV 2。闸门-VIN 220mV 3。温度+150�C 4。VBIAS<POR（ISL6146A/B）5。VIN或VOUT<POR（ISL6146C）6。VIN<VOUT UVLO 8mA启用EN/EN启用EN+FLT

MSOP/DFN 1 SYMBOL栅极描述IC内部电荷泵产生的外部N沟道MOSFET的栅极驱动输出。闸门开启时间通常<1ms。允许主动控制外部N沟道FET栅极以执行“或”运算功能。当VIN=3.3V时，GATE驱动介于VIN 7V和VIN=18V时的VIN+12V之间。连接到源电源侧（ORing MOSFET源极），该引脚用作感测引脚，以确定OR电源电压。当VIN低于VOUT的值大于外部设置阈值或默认内部阈值时，ORing MOSFET将关闭。范围：至24V主偏置引脚。连接到大于或等于3V且大于VIN的独立电源。范围：至24V可编程UVLO保护，以防止VIN被充分偏置之前过早开启。范围：至24V激活高使能输入，以打开FET。内部通过2M范围拉低至GND：至24V激活低使能输入，以打开FET。内部通过2M拉高至BIAS。范围：至24V

MSOP/DFN 5 6 SYMBOL OVP GND FAULT（续）描述可编程OV保护，防止监控电压过高时继续运行。必须采用背靠背FET配置来实现OVP能力。范围：至24V芯片接地参考。开路漏极下拉故障，指示带内部片上滤波（TFLT）的输出。ISL6146AFRZ故障检测电路将在检测到禁用输入的故障时将该引脚下拉至GND。第16页更详细地讨论了不同类型的故障及其检测机制，这些故障包括：a.GATE关闭（GATE<VIN或b.VIN-VOUT>0.57V，当on时。c.FET G-D或G-S或D-S短路。D.VIN PORL2H e.VIN<VOUT f.过温范围：0至VOUT电阻器可编程高速比较器的VIN-VOUT电压阈值（Vth）。该引脚可以直接连接到VOUT，也可以通过100k电阻器连接到GND。允许调整电压差阈值，以防止由于正常系统电压波动而意外关闭旁路FET。范围：0.4至VOUT外部FET控制的第二个感测节点，连接到负载侧（ORing MOSFET漏极）。这是多个并联电源的公共连接点。VOUT与VIN进行比较，以确定何时必须关闭ORing FET。范围：至24V连接至GND

零件编号（注释3）ISL6146AFUZ。为磁带和卷轴添加“-T*”后缀。有关卷筒规格的详细信息，请参阅TB347。2.这些Intersil无铅塑料包装产品采用了特殊的无铅材料组、模塑化合物/模具连接材料以及100%哑光镀锡板加退火（e3终端饰面，符合RoHS要求，与SnPb和无铅焊接操作兼容）。Intersil无铅产品在符合或超过IPC/JEDEC STD-020无铅要求的无铅峰值回流温度下进行MSL分类。3.关于湿度敏感度（MSL），请参阅ISL6146的设备信息页。有关MSL的更多信息，请参阅技术简报TB363。4.MSOP包装部件即将发布。零件标记6146C 46CF温度范围(�C） 8Ld MSOP Ld 3x3 DFN 8Ld MS OP Ld 3x3 DFN 8 Ld MSOPLd 3x3DFN包装（无铅）PKG。图纸。M8.118长8.3x3J

ISL6146A评估委员会ISL6146B评估委员会ISL5146B评估委员

特色