ISL6144IVZA-T ORing MOSFET控制器和适当尺寸的N沟道功率MOSFET在大电流应用中更换功率ORing二极管时提高了功率分配效率和可用性。在多电源、容错、冗余配电系统中,并联的类似电源通过各种功率共享方案对负载电流的贡献相等。无论采用哪种方案,一种常见的设计实践都是在其中一个电源出现灾难性输出对地短路时,采用分立的“或”型功率二极管来防止反向电流。此外,如果电流共享方案失败并且单个电源电压显著低于其他电源电压,则可能发生反向电流。尽管离散ORing二极管解决方案已经使用了一段时间,而且实施起来很便宜,但它也有一些缺点。主要的缺点是随着系统的功率需求增加,ORing二极管中的功率损耗增加。使用ORing二极管的另一个缺点是无法检测到短路或开路的ORing二极管,从而危及电力系统的可靠性。二极管开路会将系统降低到单点故障,而二极管短路可能会对维修系统的技术人员造成危险,而不知道该故障。ISL6144IVZA-T可用于具有类似电源的9V至75V系统中,并具有内部电荷泵。高速(HS)比较器通过在小于300ns的时间内关闭短路馈电的ORing MOSFET并确保低反向电流,保护公共总线免受单独电源短路的影响。HS比较器的外部电阻可编程检测电平允许用户设置N沟道MOSFET“VOUT-VIN”跳闸点,以调整对电源噪声的控制灵敏度。滞后调节(HR)放大器提供ORing MOSFET的缓慢关断。当其中一个源电源缓慢关闭以进行系统诊断时,可在不到100µs的时间内实现此关闭,从而确保零反向电流。这种缓慢关闭机制也会对输出电压下降、降级或断电做出反应。漏极开路故障引脚将指示发生了故障。故障检测电路涵盖不同类型的故障;包括电源中的完全短路、任何两个ORing MOSFET端子短路或配电路径中的保险丝熔断。
特色
- 宽电源电压范围+9V至+75V
- 瞬态额定值+100V
- 反向电流故障隔离
- 内部电荷泵允许使用N沟道MOSFET
- HS比较器对采购供应中的短路提供非常快速的<0.3µs响应时间。HS比较器还具有电阻可调跳闸电平
- HR放大器允许静音,<100µs MOSFET关闭,以实现电源缓慢关闭
- 漏极开路,有源低故障输出,延迟120µs
- 包装符合UL60950(UL1950)爬电要求
- QFN包:
- 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN-四芯扁平无引线-封装外形
- 近芯片级封装占地面积,可提高PCB效率并具有更薄的外形
- 无铅(符合RoHS)