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VN3205N8-G是MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3，包括卷轴封装，它们设计为以0.001862盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-89-3，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.6 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
VN3205N6，带有SUPERTEX制造的用户指南。VN3205N6采用DIP14封装，是IC芯片的一部分。
VN32-330M-112J，电路图由CTC制造。VN32-330M-112J采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
