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VNB35N07-E是MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK？，VIPower？系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及非反相输入类型，该设备也可用作N通道输出类型。此外，功能为状态标志，设备在开/关接口中提供，设备具有供应商设备包的D2PAK，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，输出数量为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为28mOhm（最大值），电压负载为55V（最大值，电流输出最大值为25A，开关类型为通用型，Pd功耗为125W，工作电源电压为3V至18V，导通电阻最大值为28m欧姆，关断时间最大值为1000ns，电流限制为35A，开断时间最大为200ns。
VNB35N07TR-E是MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于55V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供开关类型功能，如通用，供应商设备包设计用于D2PAK以及OMNIFET？，VIPower？系列，该设备也可以用作28 mOhm（最大）Rds On Typ。此外，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，该设备提供125000 mW Pd功耗，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，输出类型为N通道，输出电流为25 a，输出配置为低侧，工作电源电压为18 V，导通电阻最大值为28毫欧，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，接口为开/关，输入类型为非反相，特性为状态标志，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压和电流输出最大值为25A。
VNB35NV04是MOSFET N-CH 40V 30A D2PAK，包括最大30A电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该设备提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该设备有一个封装管，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为13 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商设备包为D2PAK，开关类型为通用型，电压负载为36V（Max），不需要电压源Vcc-Vdd。
