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TND314S-TL-2H,带有引脚细节,包括TND314S系列,它们设计用于带卷(TR)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.019048盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及功率MOSFET技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)此外,安装类型为表面安装,该设备在直流电机、通用应用中提供,该设备具有接口逻辑,电压供应为4.5 V~25 V,供应商设备包为8-SOIC,输出配置为半桥(2),负载类型为电感,Rds On Typ为6 Ohm LS、8 Ohm HS,电流峰值输出为1A,电压负载为4.5V~25V。
TND311S-TL-E是IC DRIVER DUAL 25V 2/2A 8-SOP,包括4.5 V~25 V电压源,设计用于4.5 V~25V电压负载。数据表说明中显示了用于功率MOSFET的技术,该功率MOSFET提供了供应商设备包功能,如8-SOP、Rds on Typ设计用于3欧姆LS、4欧姆HS以及Digi-ReelR封装,该器件还可以用作8-SOIC(0.173英寸,4.40mm宽)封装外壳。此外,输出配置为半桥(2),其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备具有安装型表面安装,负载类型为感应式,接口为逻辑,电流峰值输出为2A,应用为直流电机、DC-DC转换器、通用型。
TND312S-TL-E是IC DRIVER DUAL 25V 2/2A 8-SOP,包括直流电机、DC-DC转换器、通用应用,它们设计用于2A电流峰值输出,接口如数据表注释所示,用于逻辑电路,提供电感等负载类型功能,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该设备也可以用作半桥(2)输出配置。此外,封装外壳为8-SOIC(0.173“,4.40mm宽),器件采用Digi-ReelR封装,器件具有3欧姆LS,4欧姆HS的Rds On Typ,供应商器件封装为8-SOP,技术为功率MOSFET,电压负载为4.5 V~25 V,电压供应为4.5 V~35 V。