LTC435CDE#PBF控制外部N沟道MOSFET以实现理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管及其相关的散热片,节省了电源和电路板面积。理想的二极管功能允许低损耗电源ORing和电源保持应用。
LTC435CDE#PBF调节MOSFET两端的正向压降,以确保二极管OR应用中的平滑电流传输。快速接通可减少电源切换期间的负载电压下降。如果输入电源发生故障或短路,快速关闭可最大限度地减少反向电流瞬变。
控制器的电源为2.9V至18V。如果两个电源均低于2.9V,则VCC引脚需要外部电源。启用输入可用于关闭MOSFET并将控制器置于低电流状态。状态输出指示MOSFET是开还是关。
特色
- 功率二极管的低损耗替换
- 控制N沟道MOSFET
- 0V至18V电源ORing或Holdup
- 1μs栅极开启和关闭时间
- 启用输入
- MOSFET导通状态输出
- 16引线MSOP和DFN(4mm×3mm)封装
应用
- 冗余电源
- 供应滞留
- 高可用性系统和服务器
- 电信和网络基础设施
(图片:引出线)