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IXDD614SITR是14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB，包括IXDD614系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表说明所示，用于低端，提供胶带和卷轴（TR）等包装功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及Clare商品名，该设备也可以用作表面安装封装盒，它的工作温度范围为25ns，18ns，该设备提供-55°C~150°C（TJ）安装型，该器件具有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商设备包的外露焊盘，分辨率位为1，数据接口为单，电压供应模拟为非反相，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为4.5 V~35 V，S/N比ADC DAC db Typ为0.8V、3V，动态范围ADC DAC db Typ为14A、14A，工作电源电流为10 uA，下降时间为18 ns，上升时间为25ns，电源电压Max为35V，电源电压Min为4.5V，驱动器数量为1个驱动器。
IXDD614SI T/R是由IXYS制造的14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB。IXDD614SI T/R采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）暴露焊盘封装，是PMIC-栅极驱动器的一部分，支持14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB。
IXDD614SIA，带有IXYS制造的电路图。IXDD614SIA在SOP包中提供，是IC芯片的一部分。
