VNP20N07FI、VNB20N0713TR和VNV20N07是使用STMicroelectronics VlPower M0技术制造的单片器件,旨在替代DC至50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位,在恶劣环境中保护芯片。
故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
特色
- 静电防护
- 通过输入引脚的诊断反馈
- 与标准功率mosfet兼容
- 线性电流限制
- 短路保护
- 热关机
- 低电流消耗
- 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
- 集成夹具
起订量: 1
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VNP20N07FI、VNB20N0713TR和VNV20N07是使用STMicroelectronics VlPower M0技术制造的单片器件,旨在替代DC至50 KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位,在恶劣环境中保护芯片。
故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
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