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Si2377EDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si2377EDS-ME3的零件别名，该Si2377EDS GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 P沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为61 mOhm@3.2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@8V，Pd功耗为1.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为-4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为50 mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为14 nC，正向跨导最小值为12 S。
带有用户指南的SI2392ADS-T1-GE3，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作ThunderFET TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件采用SOT-23-3（TO-236）供应商器件封装提供，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为126 mOhm@2A，10V，Rds On Drain Source Resistance为126 mOhm，Power Max为2.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-2，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为196pF@50V，Id连续漏极电流为3.1A，栅极电荷Qg Vgs为10.4nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏电流Id为3.1A（Tc）。
SI2399DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用卷轴封装，技术如数据表注释所示，用于Si，提供TrenchFET等商标特征，晶体管极性设计为在P通道以及1个P通道晶体管类型中工作。
SI2399CDS-T1-GE3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SI2399CDS-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
