NX3P190是一种高侧负载开关,其特点是低导通电阻P沟道MOSFET,支持超过500mA的连续电流。设计用于1.1 V至3.6 V的工作电压,用于功率域隔离应用,以减少功耗并延长电池寿命。启用逻辑包括集成逻辑电平转换,使设备与较低电压处理器和控制器兼容。NX3P190是便携式电池操作应用的理想选择,因为它具有低接地电流和超低关机电流。
特色
- 电源电压范围从1.1 V到3.6 V
- 极低的导通电阻:
- 95米Ω (典型)电源电压为1.8 V
- 高噪声抗扰度
- EN为Low时的低功率模式
- 低接地电流(最大2µA)
- 电源电压为3.6V时的1.2V控制逻辑
- 高电流处理能力(500 mA连续电流)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A级超过4000 V
- CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
- 规定范围为-40℃至+85℃
- 手机
- 数码相机和音频设备
- 便携式和电池供电设备