描述
IPS031G/IPS032G是完全受保护的单/双低端智能功率MOSFET,具有过电流、过热、ESD保护和漏极到源极有源箝位。这些器件结合了HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。它们提供了恶劣环境中所需的全面保护和高可靠性。当温度超过165oC或漏极电流达到12A时,驱动器允许短的开关时间并通过关断功率MOSFET提供有效的保护。输入循环后,设备重新启动。有源箝位显著增强了雪崩能力,并覆盖了大多数感应负载退磁。
特征
•超温停机
•过电流停机
•有源箝位
•低电流和逻辑电平输入
•E.S.D保护
(图片:引出线)