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IPS050N03L G是MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPS050N01LGAKMA1 IPS050N02LGXK SP000810848，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为68 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为6.7ns，沟道模式为增强。
IPS050N03LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3。IPS050N03LG提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3。
IPS051S，带有IR制造的电路图。IPS051S采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
