特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 1级设备温度：-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 设备HBM ESD分类2级
- 设备CDM ESD分类等级C4B
- 600 mA额定漏电流（每个通道）
- 7通道达林顿阵列的CMOS管脚到管脚改进（例如：ULN2003A）
- 功率效率（极低VOL）
- 100 mA时的VOL低于达林顿阵列的4倍
- 每通道极低输出泄漏<10 nA
- 高压输出30 V
- 兼容1.8V至5V微控制器和逻辑接口
- 用于感应反冲保护的内部续流二极管
- 输入下拉电阻器允许三态输入驱动器
- 输入RC缓冲器消除噪声环境中的误操作
- ESD保护超过JESD 22
- 2kV HBM，500-V CDM
所有商标均为其各自所有者的财产。
描述TPL7407LA-Q1是一种高电压、高电流NMOS晶体管阵列。该器件由七个NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于切换电感负载的公共阴极箝位二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为600 mA。添加了新的调节和驱动电路，以在所有GPIO管上提供最大驱动强度（1.8 V–5 V）。晶体管可以并联以获得更高的电流能力。
TPL7407LA-Q1的主要优点是其比双极达林顿实施方案更高的功率效率和更低的泄漏。与每通道电流小于250毫安的传统继电器驱动器相比，低VOL的用户消耗的功率不到一半。
