·低导通电阻，高电流PFET
-Ves=-4.5V时RoN=32 mQ（典型）
-Ves=-3.0V时RoN=44 mQ（典型）
-RoN=85 mQ（典型），Ves=-1.8V
-Ves=-1.5V时RoN=97 mQ（典型）
·可配置的开启和关闭回转率
-VIN=5V时10 us默认最小输出上升时间
·可配置的开启和关闭回转率
·支持宽范围的VIN 1.2 V至8 V
·即使在快速输入瞬变下，也能实现出色的关断隔离
·1.0V至8V NMOS控制逻辑接口，具有可配置滞后
·完全防静电（所有引脚）
-HBM 2000V，CDM 500V
·极低ON状态静态电流（低至1.2uA）
·极低关断状态泄漏电流（典型100nA）
·可提供2.9mm×1.6mm×0.75mm SOT-23（DDC）包
2应用程序
·高压侧负载开关·浪涌电流控制
·电源顺序和控制
·备用电源隔离
·便携式电源开关
3说明
TPS27082LDDCR IC是一种高端负载开关，它将功率PFET和控制电路集成在一个小型TSOT-23封装中。TPS27082LDDCR需要非常低的ON状态静态电流，并提供非常低的OFF状态泄漏，从而优化系统功率效率。
TPS27082LDDCR ON/OFF逻辑接口具有滞后特性，因此即使在非常嘈杂的操作条件下也能提供鲁棒的逻辑接口。
TPS27082LDDCR开/关接口支持直接连接至低至1 V的低压GPlO。TPS27082RDDCR电平将开/关逻辑信号转换为VIN电平，无需外部电平转换器。
TPS27082LDDCR具有一种新颖的断开隔离电路，当负载开关处于断开状态时，该电路可防止PMOS在VIN引脚处在可能具有快速瞬变的应用中导通。
特色
- 可配置的开启和关闭转换速率
- VIN=5 V时10µs默认最小输出上升时间
- 可配置的开启和关闭转换速率
- 即使在快速输入瞬变情况下，也能实现出色的关断隔离
- 低导通电阻，高电流PFET
- 1.0V至8V NMOS控制逻辑接口，具有可配置滞后
- 极低的ON状态静态电流（低至1.2µA）
- 非常低的关断状态泄漏电流（典型值为100nA）
（图片：引线/示意图）
