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IXDP20N60BD1是IGBT 600V 32A 140W TO220AB，包括IXDP20N80B系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220AB，设备为单配置，设备最大功率为140W，反向恢复时间trr为40ns，集电器Ic最大值为32A，集电器发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为2.8V@15V，20A，开关能量为900μJ（开），400μJ（关），栅极电荷为70nC，测试条件为300V，20A，22 Ohm，15V，Pd功耗为140 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.2 V，25℃时的连续集电极电流为32A，栅极发射极漏电流为500nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为40A。
IXDP20N60B是IGBT 600V 32A 140W TO220AB，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.8V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供300V、20AA、22 Ohm、15V等测试条件功能，开关能量设计为在900μJ（开）、400μJ（关）下工作，以及TO-220AB供应商设备包，该设备也可以用作IXDP20N60B系列。此外，最大功率为140W，器件提供140W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为500nA，栅极电荷为70nC，集电极脉冲Icm为40A，集电极Ic Max为32A，连续集电极电流Ic Max是40A，25 C时的连续集电极电压为32A；配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射极饱和电压为2.2V。
IXDP35N60B是IGBT 600V 60A 250W TO220AB，包括2.1 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在600 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供连续集电极电流Ic Max功能，如60 a，集电极电流最大值设计为60 a，以及70A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作120nC栅极电荷。此外，IGBT类型为NPT，该器件提供标准输入类型，该器件具有+/-20 V的最大栅极-发射极电压，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，封装盒为TO-220-3，封装为管，最大功率为250W，系列为IXDP35N60B，供应商设备包为TO-220AB，开关能量为1.6mJ（开）、800μJ（关），测试条件为300V、35A、10 Ohm、15V，单位重量为0.081130 oz，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，35A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
