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VNB35NV04TR-E是MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK，包括OMNIFET II？，VIPower？系列，它们设计用于电源开关产品，类型如数据表注释所示，用于低端，提供包装功能，如Digi-ReelR替代包装，单位重量设计为0.066315盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒。此外，输入类型为非反相，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为D2PAK，输入/输出比为1899/12/30 1:01:00，输出数为1，不需要电压供应Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定），过温、过电压和输出配置为低侧，Rds On Typ为13 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为30A，开关类型为通用型，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，输出电流为30 A，导通电阻最大值为13mΩ，关断时间最大值为120 us，电流极限为30 A，开断时间最大为12 us。
VNB35NV04-E是MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.066315盎司，提供低侧、开关类型等类型功能，设计用于通用用途，以及D2PAK供应商设备包，该器件也可以用作OMNIFET II？，VIPower？系列此外，Rds On Typ为13 mOhm（最大值），该设备于1899/12/30 1:01:00提供输入：输出比率，该设备具有产品电源开关，Pd功耗为125 W，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，输出类型为N通道，输出电流为30 a，输出配置为低端，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），接通时间最大值为12 us，接通电阻最大值为13 mOhms，关断时间最大值是120 us，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40 C，最大工作温度范围+150 C，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为30A，电流限制为30A。
VNB35NV0413TR是MOSFET POWER 40V 30A D2PAK，包括最大30A电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该设备提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为13 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商设备包为D2PAK，开关类型为通用型，电压负载为36V（Max），不需要电压源Vcc-Vdd。
