由VISHAY SILICONIX制造的SI3831DV-T1-E3零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的SI3831DV-T1-E3组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI3831DV-T1-E3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI3805DV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3805DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为84mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为18ms，沟道模式为增强。
SI3805DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作84毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.1W，该器件以SI3805DV-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3A，配置为单肖特基二极管。
SI3812DV-T1-GE3是由VIS制造的MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP。SI3812DV-T1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP、N沟道20V 2A（Ta）830mW（Ta）表面安装6-TSOP。
