特色
- 28 V以下的过电压保护
- 过电压保护低至-28 V
- 片上低RDS(On)NMOS晶体管:135 mohm
- 过电压锁定(OVLO)
- 欠压锁定(UVLO)
- 警报标志(BAR)输出
- 直接模式DIR(BAR)输入
- 反向模式REV(BAR)输入
- 反向过电流保护
- 这是一个无铅设备
- 符合IEC61000-4-2(4级)、8.0 kV(接触)和15 kV(空气)
- 软启动
应用
- 手机、照相手机、数码相机、个人数字应用程序和MP3播放器
起订量: 536
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...