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VNB10N07TR-E是MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK，包括OMNIFET？，VIPower？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及非反相输入型，该设备也可用作N通道输出型。此外，接口为开/关，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有1899/12/30 1:01:00的输入：输出比率，输出数量为1，不需要电压供应Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为100 mOhm（最大值），电压负载为55V（最大值），电流输出最大值为7A，开关类型为通用型，Pd功耗为50000 mW，工作电源电压为18 V，输出电流为7 A，导通电阻最大值为100 mOhms。
VNB14N0413TR是MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于35V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供供应商设备包功能，如D2PAK。系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，以及70 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备采用TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB包装箱，设备具有N通道输出类型，输出配置为低端，输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，功能为状态标志，故障保护为电流限制（固定），过温、过电压和电流输出最大值为10A。
VNB14N04是MOSFET POWER 42V 14A D2PAK，包括10A电流输出最大值，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护。数据表注释中显示了用于状态标志的功能，该状态标志提供输入类型功能，如非反相，接口设计用于开/关，以及1个输出，该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该设备提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该设备有一个封装管，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为70 mOhm（最大值），系列为OMNIFET？，VIPower？，供应商设备包为D2PAK，开关类型为通用型，电压负载为35V（Max），不需要电压源Vcc-Vdd。
