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VN2110K1-G是MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于单位重量为0.050717盎司的情况下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为360mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Tj），最大Id Vgs的Rds为4 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.4V@1mA，Pd功耗为360 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为200mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
VN2110K，带有SI制造的用户指南。VN2110K在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
VN2110K1，带有SUPERTEX制造的电路图。VN2110K1在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
