FDR8521L零件是由ON制造的用于负载开关应用的P沟道MOSFET和栅极驱动器，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的FDR8521L组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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FDR8508P是MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD鸥翼的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SuperSOT-8供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为800mW，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有750pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs上的Rds为52mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@5V。
FDR842T，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDR842T采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
FDR844P是科信公司生产的MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8。FDR844P可提供8-SSOT、SuperSOT-8封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8、P-Channel 20V 10A（Ta）1.8W（Ta）表面安装SuperSOT-8.
