VND10N0613TR和VND10N06-1是采用STMicroelectronics VIPower M0-2技术设计的单片器件,旨在替代DC至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。
特色
- ESD保护
- 逻辑电平输入阈值
- 高抗噪声性
- 直线电流限制
- 短路保护
- 热关机
- 低电流限制输出引脚
- Schmittriggeron输入
- 集成夹具
起订量: 1
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VND10N0613TR和VND10N06-1是采用STMicroelectronics VIPower M0-2技术设计的单片器件,旨在替代DC至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。
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