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VND3NV04TR-E是MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A DPAK，包括OMNIFET II？，VIPower？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于自动保护功率MOSFET，提供封装功能，如磁带和卷轴（TR）交替封装，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作非反相输入类型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备为N通道输出型，该设备具有开/关接口，供应商设备包为D-Pak，输入/输出比为1899/12/30 1:01:00，输出数为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压、，输出配置为低侧，Rds On Typ为120 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为3.5A，开关类型为通用型，关机为是，Pd功耗为35 W，工作电源电流为100 uA，输出电流为3.5 A，下降时间为250 ns，上升时间为250纳秒，并且驱动器的数量是1个驱动器，并且最大关断延迟时间是450ns，并且最大接通延迟时间是90ns。
VND3NV04-E是MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A DPAK，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供开关类型功能，如通用，供应商设备包设计用于D-Pak，以及OMNIFET II？，VIPower？系列，该设备也可以用作120 mOhm（最大）Rds On Typ。此外，输入/输出比率为1899/12/30 1:01:00，该设备提供35 W Pd功耗，该设备具有管交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，输出类型为N通道，输出电流为3.5A，输出配置为低侧，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为100uA，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为3.5A。
VND3NV0413TR是MOSFET N-CH 40V 3.5A DPAK，包括3.5A最大电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N信道，该设备提供TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为120 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商设备包为D-Pak，开关类型为通用型，电压负载为36V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
VND3NV04-1-E是MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A IPAK，包括管封装，它们设计为与to-251-3短引线、IPAK、to-251AA封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于开/关的接口，提供了OMNIFET II？、？，VIPower？，电压源Vcc Vdd被设计为在不需要以及非反相输入类型下工作，该设备也可以用作N通道输出类型。此外，输出配置为低侧，该设备在I-Pak供应商设备包中提供，该设备具有通用开关类型，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），电压负载为36V（最大值），电流输出最大值为3.5A，和比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为120 mOhm（最大值），输出数量为1。
