这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型(<1.1mm)
•提供磁带和卷轴
•快速切换
特色
- 符合RoHS
- 行业领先的质量
- 快速切换
- 薄型(小于1.1mm)
- SOT-23占地面积
应用
- 直流开关
- 负载开关