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VNS3NV04PTR-E是IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC？，VIPower？系列，它们设计用于与MOSFET栅极驱动器产品一起工作，类型如数据表注释所示，用于自动保护功率MOSFET，该产品提供磁带和卷轴（TR）等封装功能，单位重量设计为0.004395盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，输入类型为非反相，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为8-SO，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，配置为非反相，输出数量为2，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为120 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为3.5A，开关类型为通用型，关机为是，Pd功耗为8.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为100 uA，输出电流为5A，下降时间为250ns，上升时间为250纳秒，Rds导通漏极-源极电阻为120m欧姆，驱动器数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为1350ns，最大接通延迟时间为300ns。
VNS3NV04-E是MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A 8-SO，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如8-SO，系列设计用于OMNIFET II？，VIPower？，除了120 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装是管，该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有N通道输出型，输出配置为低侧，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压和电流输出最大值为3.5A。
VNS3NV04P-E是ST制造的栅极驱动器OMNIFET II低侧120欧姆3.5A 40V。是PMIC-栅极驱动器的一部分，并支持栅极驱动器OMNIFET II低压侧120欧姆3.5 A 40V。
