SMSC制造的FDC9229BTLJP零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的FDC9229BTLJP组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如FDC9229BTLJP库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
FDC8878是MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001270盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供1信道数信道，该设备具有SuperSOT-供应商设备包的6个，配置为单个，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为1040pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta）、8A（Tc），最大Id Vgs为16mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为800mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-源极电阻Rds为16毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
FDC8884是MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001270盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作23mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为800 mW，该器件采用卷筒包装，该器件具有SSOT-6封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为6.5 a，配置为单通道。
FDC8886是MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT，包括6.5A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C。SMD/SMT中使用的数据表注释中显示了安装方式，该产品提供封装外壳功能，如SSOT-6，封装设计为在卷筒中工作，以及1.6W Pd功耗，该器件也可以用作36毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.001270盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
FDC9216B，带有SMC制造的EDA/CAD模型。FDC9216B采用DIP-8封装，是IC芯片的一部分。
