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VNS1NV04P-E是MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC？，VIPower？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于低端驱动器，提供管等封装功能，单位重量设计为0.004395盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，输入类型为非反相，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为8-SO，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，配置为单一，输出数量为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为250 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为1.7A，开关类型为通用型，关机为是，Pd功耗为8.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为100 uA，输出电流为1.7 A，下降时间为200ns，上升时间为170ns，Rds导通漏极-源极电阻为250mOhms，驱动器数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为1000ns，最大接通延迟时间为200s。
VNS1NV04PTR-E是MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.004395盎司，提供功率MOSFET等类型功能，开关类型设计用于通用用途，以及8-SO供应商设备包，该器件也可以用作OMNIFET II？，VIPower？系列此外，上升时间为500 ns，该器件提供250 mOhm（Max）Rds On Typ，该器件具有1899/12/30 1:01:00的输入输出比，产品为MOSFET栅极驱动器，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为N沟道，输出电流为-3A，输出配置为低端，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为150 uA，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压和下降时间为600 ns，电流输出最大值为1.7A，配置为单。
VNS1NV04-E是IC PWR MOSFET M03 40V 1.7A 8SOIC，包括1.7A最大电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有一个封装管，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为250 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商器件封装为8-SO，开关类型为通用型，电压负载为36V（最大），不需要电源Vcc Vdd。
