STBP120AVDK6F器件为高达+28 V的输入电压提供过电压保护DS(打开)根据中国MII通信标准YD/T 1591-2006,N沟道MOSFET开关保护连接到OUT引脚的系统免受直流电源故障的影响。
在输入过电压情况下,设备通过关闭内部低R立即断开直流电源DS(打开)N沟道MOSFET,防止损坏受保护系统。
此外,该器件还监测其自身的结温度,如果结温度超过规定的极限,则关闭内部MOSFET。
该设备可以由微控制器控制,并且还可以提供关于故障状况的状态信息。
STBP120AVDK6F以符合RoHS的小型TDFN?10引线(2.5 mm x 2 mm)封装。
特色
- 某些过电压选项符合中国通信标准YD/T 1591-2006(仅限过电压保护)
- 在具有1μF输入电容器的典型应用电路中,IN输入ESD耐受电压高达±15 kV(空气放电),高达±8 kV(接触放电)(独立装置为±2 kV HBM)
- 小型符合RoHS要求的2.5 x 2 mm TDFN–10引线封装。
- 启用输入(EN)
- 控制涌入电流的软启动功能
- 输入过压保护敢达28 V