ISL6532ACR为多达4个DIMM双通道DDR/DDR2内存系统提供了完全符合ACPI的电源解决方案。包括同步降压控制器和集成LDO,以在S0/S1状态期间为VDDQ提供高电流,在S3状态期间为待机电流。在S0/S1状态期间,完全集成的汇源调节器产生准确的(VDDQ/2)高电流VTT电压,而无需负电源。VDDQ/2参考的缓冲版本作为VREF提供。LDO控制器也集成用于AGP核心电压调节。开关PWM控制器驱动同步整流降压转换器拓扑中的两个N沟道MOSFET。同步降压转换器使用具有快速瞬态响应的电压模式控制。开关调节器和备用LDO在线路、负载和温度范围内提供±2%的最大静态调节公差。输出可通过低至0.8V的外部电阻器由用户调节。在状态转换期间,通过内部ACPI控制电路在PWM调节器和备用LDO之间平滑切换存储核心输出。NCH信号在转换过程中提供反向馈电阻断开关的同步切换,无需将5V Dual路由至存储器电源。当从任何睡眠状态返回到S0/S1状态时,集成的软启动功能以受控方式调节所有输出。在S0期间,PGOOD信号指示VTT在规范范围内且可操作。监控每个输出的欠压和过压事件。开关调节器具有过电流保护。集成了热关机。
特色
- 产生3个调节电压
- 具有备用LDO的同步降压PWM控制器
- 3A集成汇/源线性稳压器,具有精确的VDDQ/2分频器参考。
- 状态更改期间的无闪烁转换
- 用于1.5V视频和核心电压的LDO稳压器
- Acpi兼容睡眠状态控制
- 集成VREF缓冲区
- PWM控制器驱动低成本N沟道MOSFET
- 250kHz恒定频率操作
- 严格的输出电压调节
- 所有输出:超过温度±2%
- 5V或3.3V下变频
- 宽电压范围的完全可调输出:低至0.8V支持DDR和DDR2规格
- 简单的单回路电压模式PWM控制设计
- 快速PWM转换器瞬态响应
- 所有输出的欠电压和过电压监测
- 开关调节器上的OCP
- 集成热关机保护
- QFN包装选项
- QFN符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN
- 四边形扁平无引线
- 产品概述
- QFN近芯片级封装封装;提高PCB效率,外形更薄
- 无铅可用(符合RoHS)