ST制造的VND5N07TR-E零件为限流SW 1-IN 1-OUT至18V 7A Automotive 3-Pin（2+Tab）to-252 T/R，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的VND5N07TR-E组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如VND5N07TR-E库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
VND5N07-E是MOSFET N-CH 70V 5A TO252，包括OMNIFET II？，VIPower？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，该设备也可作为非反相输入类型使用，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备为N通道输出型，该设备具有1通道通道数，接口为开/关，供应商设备包为TO-252，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，输出数量为1，不需要电压供应Vcc Vdd，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为200 mOhm（最大值），电压负载为55V（最大），电流输出最大值为3.5A，开关类型为通用型，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为60 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-40℃，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds漏极源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为4S。
VND5N07-1-E是MOSFET OMNIFET 70V 5A IPAK，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于55V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供开关类型功能，如通用，供应商设备包设计用于I-Pak，以及OMNIFETII？，VIPower？系列，该设备也可以用作200 mOhm（最大）Rds On Typ。此外，输入/输出比率为1899/12/30 1:01:00，该设备提供60000 mW Pd功耗，该设备具有一个封装管，封装外壳为TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA，输出类型为N通道，输出电流为5A，输出配置为低侧，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电压为18 V，导通电阻最大值为200 mOhm，输出数量为1，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、，过电压和电流输出最大值为3.5A。
VND5N0713TR是MOSFET N-CH 70V 5A DPAK，包括3.5A电流输出最大值，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N信道，该设备提供TO-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为200 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商设备包为D-Pak，开关类型为通用型，电压负载为55V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
