智能SIPMOS技术中的N沟道垂直功率FET。完全由嵌入式保护功能保护。
特色
- 逻辑电平输入
- 输入保护（ESD）
- 热关机，自动重启
- 绿色产品（符合RoHS）
- 过载保护
- 短路保护
- 过电压保护
- 电流限制
- 模拟驱动可能
应用
- 24V应用
- 继电器驱动器
BSP75NNT
- 描述:开关种类: 一般用途 输出类别: n通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 低端 负载电压: 60V (Max) 供应商设备包装: PG-SOT223-4
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥7.59056
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.59
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规格参数
- 输出数量 one
- 输入比率 / 输出比率 1:1
- 连接口 On/Off
- 电源电压 (Vcc/Vdd) 不需要
- 开关种类 一般用途
- 输出类别 n通道
- 输入类别 非反相
- 特点 自动起动
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 输出配置 低端
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 过时的
- 故障保护 限流（固定）、过温、过电压
- 负载电压 60V (Max)
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 最大输出电流 700毫安
- 供应商设备包装 PG-SOT223-4
- 典型导通电阻 430欧姆
- 输入数量 one
BSP75NNT 产品详情
BSP75NNT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSPCF | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Positive) 电芯尺寸: 9伏 端接样式: PC引脚 包装: 散装 | ¥5.07003 |
 | BSPCM | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Negative) 电芯尺寸: 9伏 端接样式: PC引脚 包装: 散装 | ¥5.07003 |
 | BSP41,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 60V 1A SC73 | ¥1.01401 |
| BSP126,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | ¥1.15886 |
| BSPD400600Y3P | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大连续工作电压 (MCOV): 600VAC 工作温度: -40摄氏度~50摄氏度 极数: one | ¥88,048.89328 |
| BSPH2275TTR | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 275VAC 工作温度: -40摄氏度~80摄氏度 极数: two | ¥1,705.48566 |
| BSPD0180DINL | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大放电电流值 (8/20µS): 20 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 127VAC，180VDC 工作温度: -40摄氏度~80摄氏度 极数: four | ¥1,748.14634 |
| BSPM1A150D200LV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 仅限模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 120VAC，200VDC 极数: one | ¥566.02358 |
| BSPM1A75D100LVR | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 仅限模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 75VAC, 100VDC 极数: one | ¥1,221.94966 |
| BSPD200480Y2P | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大连续工作电压 (MCOV): 480VAC 工作温度: -40摄氏度~50摄氏度 极数: one | ¥38,454.36683 |
BSP75NNT所属分类：配电开关/负载驱动器，BSP75NNT 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSP75NNT价格参考￥7.590559，你可以下载 BSP75NNT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSP75NNT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
