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L9945TR

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 80.90319 80.90319
10+ 73.10983 731.09833
100+ 60.52674 6052.67420
500+ 54.09722 27048.61000
1000+ 54.09722 54097.22000
  • 库存: 1000
  • 单价: ¥73.58786
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥80.90
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 工作电流 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 应用及使用 汽车
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 64-TQFP Exposed Pad
  • 供应商设备包装 64-TQFP-EP (10x10)
  • 电源电压 3.8V ~ 5.5V, 4.5V ~ 36V

L9945TR 产品详情

L99945TR是一个8沟道MOSFET预驱动器,可配置用于低端、高端、峰值和保持以及H桥负载控制。其设计符合12 V(乘用车)和24 V(商用车)蓄电池系统的要求。

所有输出都可以PWM控制。六个输出能够驱动安全相关负载。一个输出可以专用于安全相关负载的驱动,需要专用的启用引脚(EN6)。该设备提供了控制两个独立H桥的可能性。该设备还可以驱动多达两个需要“峰值和保持”控制策略的负载。驱动器输出受到短路保护。该设备在发生过电流事件时保护外部MOS。每个输出提供完整的诊断信息,例如对蓄电池短路、对地短路和开路负载。每个输出状态都可以通过专用SPI寄存器持续监控。在导通和关断期间控制外部晶体管1-8的电压转换速率,以改善EMI行为。双冗余外部禁用源可通过DIS和NDIS引脚使用,以提高安全性。该设备可通过SPI通过32位协议进行配置。

特色

  • AEC-Q100合格
  • 12Vand24V电池系统符合性
  • 3.3Vand5V逻辑兼容I/O
  • 8通道可配置MOSFET前置驱动器
    • 高端(N沟道和P沟道MOS)
    • 低端(N沟道MOS)
    • H桥(上至2H桥)
    • 峰值和保持(2个负载)
  • 工作电池供电电压3.8V至36V
  • 工作VDD电源电压4.5V至5.5V
  • 所有设备引脚(圆形引脚除外)均能承受40V的电压
  • 可编程栅极充电/放电电流,以改善EMI行为
L9945TR所属分类:专用型电源管理芯片,L9945TR 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L9945TR价格参考¥73.587864,你可以下载 L9945TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L9945TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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