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BUK1M200-50SDLD，11是TOPFET QUAD 50V 20-SOIC，包括TOPFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了适用于20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）的封装盒，该封装盒具有非反相等输入型功能，其工作温度范围为150°C（TJ），以及N通道输出类型，该设备也可用作开/关接口。此外，供应商设备包为20-SO，该设备在1899/12/30 1:01:00比例输入：输出中提供，该设备具有4个输出数量，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压和输出配置为低侧，Rds On Typ为150 mOhm，电压负载为50V（最大值），最大电流输出为800mA，开关类型为通用型。
BUK1M200-50SDLD，51是MOSFET N-CH 50V 20SOIC，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计为在50V（最大）电压负载下工作，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如20-SO，系列设计用于TOPFET？，除了150 mOhm Rds On Typ，该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装是磁带和卷轴（TR），该器件采用20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装，该器件具有N通道输出型，输出配置为低侧，工作温度范围为150°C（TJ），输出数量为4，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压和电流输出最大值为800mA。
BUK1M200-50SGTD是TOPFET QUAD 50V 20-SOIC，包括2.7A电流输出最大值，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为4，它的工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该器件采用20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为150 mOhm，系列为TOPFET？，供应商器件封装为20-SO，开关类型为通用型，电压负载为50V（最大值），不需要电压供应Vcc Vdd。
BUK150-50DL，127是MOSFET N-CH 50V 20A I2PAK，包括管封装，它们设计为与TOPFET一起工作？数据表注释中显示了用于TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA的系列封装盒，该封装盒提供了开/关、电压供应Vcc Vdd等接口功能。Vdd被设计为在不需要的情况下以及非反相输入类型下工作，该设备也可以用作N通道输出类型。此外，输出配置为低侧，该设备在I2PAK供应商设备包中提供，该设备具有通用开关类型，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电压负载为50V（最大值），Rds On Typ为22 mOhm，电流输出最大值为20A，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，其工作温度范围为150°C（TJ），输出数量为1。
