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CPC5603C是MOSFET N Ch Dep模式FET 415V，包括CPC5603系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Clare，以及SOT-223-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有5 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为415 V，Rds漏极源极电阻为14欧姆，晶体管极性为N信道，信道模式为耗尽。
CPC5603CTR是MOSFET N Ch Dep模式FET 415V，包括415V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.008826盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性特性，如N通道，商品名设计用于Clare，以及Si技术，该设备也可以用作CPC5603系列。此外，Rds漏极源极电阻为14欧姆，该器件采用卷筒封装，该器件具有SOT-223-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为5 mA，通道模式为耗尽。
CPC5603C TR，电路图由CLARE制造。CPC5603C TR采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
