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VNN1NV04PTR-E是MOSFET N-CH 40V 1.7A SOT223，包括OMNIFET II？，VIPower？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于低侧驱动器，提供封装功能，如Digi-ReelR交替封装，单位重量设计为0.008826盎司，以及SMD/SMT安装类型，该器件也可以用作to-261-4、to-261AA封装盒。此外，输入类型为非反相，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为SOT-223，输入/输出比为1899/12/30 1:01:00，配置为单一，输出数为1，不需要电压供应Vcc Vdd，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为250 mOhm（最大），电压负载为36V（最大）、电流输出最大值为1.7A，开关类型为通用型，关机为是，Pd功耗为7 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-40℃，工作电源电流为100 uA，输出电流为1.7 A，下降时间为200 ns，上升时间为170 ns，Rds接通漏极-源极电阻为250 mOhm，驱动器数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为1000 ns，最大接通延迟时间为200纳秒。
VNN1NV0413TR是MOSFET N-CH 40V 1.7A SOT223，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如SOT-223，系列设计用于OMNIFET II？，VIPower？，以及250 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装为Digi-ReelR，设备采用TO-261-4、TO-261AA包装箱，设备具有N通道输出型，输出配置为低侧，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定），过温、过电压和电流输出最大值为1.7A。
VNN1NV04PTR，带有ST制造的电路图。VNN1NV04 PTR以SOT-223封装形式提供，是PMIC-配电开关、负载驱动器的一部分。
