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VNS1NV04DPTR-E是MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC？，VIPower？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于功率MOSFET，提供Digi-ReelR替代封装等封装功能，单位重量设计为0.004395盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，输入类型为非反相，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为8-SO，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，配置为单一，输出数量为2，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，并且Rds On Typ为250 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为1.7A，开关类型为通用型，工作电源电流为150 uA，输出电流为-3A，下降时间为600ns，上升时间为500ns。
VNS1NV04DTR-E是MOSFET POWER AUTOPROTECT 8-SOIC，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如8-SO，系列设计用于OMNIFET II？，VIPower？，以及250 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装是磁带和卷轴（TR），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有N通道输出型，输出配置为低侧，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出数量为2，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压和电流输出最大值为1.7A。
VNS1NV04DTR-E-PBF-T2，带有ST制造的电路图。VNS1NV104DTR-E-BBF-T2以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
