VND1NV04、VNN1NV04和VNS1NV04是采用STMicroelectronics VIPower M0-3技术设计的单片器件,用于替换DC高达50 KHz的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。
故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
特色
- 直线电流限制
- 热关机
- 短路保护
- 集成夹具
- 低电流限制输出引脚
- 通过输入引脚的诊断反馈
- ESD保护
- 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)
- 与标准功率MOSFET兼容
起订量: 1
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VND1NV04、VNN1NV04和VNS1NV04是采用STMicroelectronics VIPower M0-3技术设计的单片器件,用于替换DC高达50 KHz的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。
故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
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