VNS3NV04D-E是由两个单片OMNIFET II芯片组成的器件
标准SO-8封装。
OMNIFET II采用STMicroelectronics VIPower M0-3技术设计:它们旨在取代直流高达50KHz的标准功率MOSFET。内置热关机、线性电流限制和过电压钳位在恶劣环境中保护芯片。
故障反馈可以通过监测输入引脚处的电压来检测。
http://w w.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00002222.pdf