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VNS3NV04DP-E是IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC？，VIPower？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于低端，提供管交替封装等封装功能，单位重量设计为0.004395盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，输入类型为非反相，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有N通道输出类型，接口为开/关，供应商设备包为8-SO，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，配置为双路，输出数量为2，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，并且Rds On Typ为120 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为3.5A，开关类型为通用型，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电流为100 uA，下降时间为250 ns，上升时间为250纳秒，电源电压最大值为55 V，电源电压Min为40V。
VNS3NV04DPTR-E是IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于36V（最大）电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.004395 oz，具有低侧、开关类型等类型特征，设计用于一般用途，以及40V电源电压最小值，该设备也可以用作55 V电源电压最大值。此外，供应商设备包为8-SO，该设备在OMNIFET II？中提供？，VIPower？系列，该器件具有120 mOhm（最大值）的Rds On Typ，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，产品为MOSFET栅极驱动器，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为N沟道，输出配置为低端，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为100 uA，输出数量为2，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压、，电流输出最大值为3.5A。
VNS3NV04DTR是由ST制造的MOSFET POWER AUTOPROTECT 8-SOIC。VNS3NV04 DTR提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是PMIC-配电开关、负载驱动器的一部分，并支持MOSFET POWERAUTOPROTECT-8-SOIC。
