特色
- 过压保护敢达+28V
- 内部低RDS(on)NMOS晶体管:典型25mΩ
- 可编程过电压锁定(OVLO)-可通过OVLO引脚进行外部调节
- 设备的激活低使能引脚(OVLO)
- 超快OVLO响应时间:典型40ns
- 短路保护和自动重启
- 过热保护(热关机)
- 稳健的ESD性能-2kV人体模型(HBM)-1kV充电设备模型(CDM)-浪涌事件期间耐受35V残余电压的VIN
应用
- 低导通电阻Vbus的OVP
- 移动电话
- 媒体平板电脑
- 笔记本
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.81483 | 3.81483 |
59+ | 3.61275 | 213.15278 |
100+ | 3.40995 | 340.99570 |
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