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ARF476FL是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括RF功率MOSFET类型，它们设计用于卷盘封装，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供增益特性，如15dB，输出功率设计用于900W，以及910 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，器件的工作频率为150 MHz，器件的Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅极源极阈值电压为3.3 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为3 ms。
ARF475FL是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括3.3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供RF功率MOSFET、晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作910W Pd功率耗散。此外，输出功率为900 W，器件工作频率为150 MHz，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为10 A，增益为15 dB，正向跨导最小值为3 ms。
ARF477FL是RF MOSFET晶体管RF MOSFET（VDMOS），包括Si技术，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作。
具有NS制造的EDA/CAD模型的ARFN。ARFN采用SOT-143封装，是IC芯片的一部分。
