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10ETS12STRL是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如to-263AA（D2PAK），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@10A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有10A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
10ETS12STRR是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK，包括1.1V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@1200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A。
10ETS12S是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在TO-263AB（D2PAK）供应商设备包中提供，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@10A。
10f222t-E/OT，带有MICROCHIP制造的EDA/CAD模型。10f222t-E/OT在SOT封装中提供，是嵌入式微控制器的一部分。
